reticle mask差異
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6 Photolithography
http://140.117.153.69
... 差異. •敘述微影製程(photolithography)的順序. •列出四種對準(alignment)和曝光 ... Mask/reticle. Exposure. UV light. Photoresist. Exposure. Negative. Substrate.
https
https://www.yesfund.com.tw
LCD厂掩膜版叫Mask
https://www.zhihu.com
现在在Fab 里面mask 和reticle 都有人说，都是指光罩，没有什么区别。 不过看到资料关于Mask 和reticle的定义说的比较清楚也比较合理。
光罩
https://zh.wikipedia.org
工學院半導體材料與製程設備學程
https://ir.nctu.edu.tw
Mask)。本次蒸鍍鎳的厚度為50Å。 本次實驗的導電金屬層沈積採用電子槍金屬蒸鍍 ... 理論與實際的差異來源，二來確保未來光罩之品質。以下，我們分別就. 物理性與化學性來 ...
微影光罩之製造方法以及進行微影製程之方法
https://patents.google.com
在本發明實施例中，光罩(mask 或photomask)以及光標(reticle)可被交替使用來指涉相同的物件。 在本實施例中，微影系統10係為極紫外光微影系統，而光罩18為反射光罩 ...
微影制程之《MaskReticle》篇（转）
http://blog.zy-xcx.cn
光罩(土话叫光刻版)，英文名叫Mask，也叫Reticle(因为早期的对位是十字线)。通常有5寸和6寸两种大小，5寸光罩主要用于5寸和6寸的FAB生产线，而6寸 ...
微影照像
https://www.wunan.com.tw
曝光輻射穿透光罩（photomask）中透明的部分，電路圖案. 的不透明部分阻擋部分輻射。阻劑（resist）對輻射敏感，而且對蝕刻有阻抗，塗敷. 於晶圓（wafer）表面。光罩在 ...
第一章緒論
https://ir.nctu.edu.tw
合差異稱為覆蓋誤差，覆蓋誤差過大而超過design rule 設計規範將導致元件短路或 ... Reticle）而言，大約要將整片晶圓分成數十個區域，. 則須進行數十次移動→對準→曝光 ...